硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量

摘要：

研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响.利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌.测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9× 105/cm2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低.通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成.

关键词：硅缓冲层、锗(Ge)、选区外延生长、超高真空化学气相沉积、退火

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：福建省自然科学基金;厦门理工学院高层次人才项目

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：297-301