银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能

摘要：

采用水热法以Cu片为基底,Cu (NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O (Ag/Cu2O)薄膜.研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征.结果表明,当体系中Ag+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA· cm-2,比Cu2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm-2;Ag/Cu2O薄膜的载流子浓度达到3.10× 1020 cm-3,比Cu2O薄膜提高了2.38×1020 cm-3.XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu2O薄膜的结晶性比Cu2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13％.

关键词：水热法、氧化亚铜、光电性能、Ag掺杂、载流子浓度

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61264007

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：291-296,320