栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响

摘要：

基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响.在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻蚀技术相结合的两步法刻蚀技术,将AlGaN势垒层全部刻蚀掉,制备出了阈值电压超过3V的增强型Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT器件.相比于传统的ICP干法刻蚀技术,两步法是一种低损伤的自停止刻蚀技术,易于控制且具有高度可重复性,能够获得更高质量的刻蚀界面,所制备的器件增强型GaN MIS-HEMT器件具有阈值电压回滞小、电流开关比(ION/IOFF)高、栅极泄漏电流小、击穿电压高等特性.

关键词：增强型、氮化镓(GaN)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、刻蚀技术、击穿电压

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.23;TN405.98(半导体技术)

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：286-290