一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管

摘要：

门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件.目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高.提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗.仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5％;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5％.

关键词：4H-SiC、门极可关断(GTO)晶闸管、注入效率、缓冲层、脉冲功率

所属期刊栏目：44

分类号：TN34(半导体技术)

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：276-280,312