高阈值电压低界面态增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT

摘要：

采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度.同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al2O3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al2O3栅介质体缺陷,因此能够减少Al2O3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压.采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×1011 cm-2).

关键词：增强型A12O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)、阈值电压、界面态、热氧化、退火

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：四川省青年科技基金;广东省科技重大专项;中央高校基本科研业务费专项

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：265-269,290