超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势

摘要：

作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数.这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景.介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望.

关键词：AlN、超宽禁带、光电器件、电力电子器件、声表面波(SAW)器件

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：241-250,256