IGBT封装形式对结温测量精度的影响

摘要：

高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性.基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的等效热学仿真模型,详细研究了小电流下饱和压降结温测量法的物理过程,对比分析了两种封装形式结温测量的精确度.仿真结果表明,小电流下饱和压降结温测量法存在固有测量误差的问题,在高压大功率IGBT模块中尤为突出,但是由于压接型IGBT器件双面散热的特性使芯片内部温度分布更均匀,也使结温测量的误差相对较小.

关键词：压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、焊接式IGBT模块、结温测量方法、封装形式、测量精度

所属期刊栏目：43

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家电网有限公司总部科技项目SGRI-GB-71-16-002

在线出版日期：2018-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：956-963