SiC MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性评估

摘要：

碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的“陷阱”,会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻.对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对SiCMOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试.测试结果表明,SiC MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应力停止后导通电阻可以恢复到初始状态,这说明其界面态陷阱密度比GaNHEMT更低,因此实际应用中无需考虑导通电阻的稳定性;而GaN HEMT的动态电阻变化较大,这极大地增加了导通损耗,影响系统的可靠性,因此在实际应用中需要考虑导通电阻变化对导通性能的影响.

关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)、氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、高温、稳定性、可靠性

所属期刊栏目：43

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51577169

在线出版日期：2018-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：936-940,963