200mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控

摘要：

研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200 mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素.采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200 mm外延层表面质量、厚度、电阻率均匀性的影响机制.结果表明,在载气总流量为80 L/min、外延生长温度为1 125℃的条件下,通过设计2μm的基座浅层包硅厚度,以及高达6 μm/min的生长速率等多项自掺杂抑制措施,成功使同一热流场系统内薄层和厚层硅外延片均达到片内厚度不均匀性小于1.0％、电阻率不均匀性小于1.5％的水平,满足VDMOS器件的使用要求.

关键词：硅外延片、电阻率、晶体缺陷、均匀性、垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2018-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：923-929,948