GaN单晶片的表面加工工艺研究

摘要：

对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究.在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响.实验结果表明,采用树脂铜盘和树脂锡盘将机械研磨时间缩短至1.5h,加工后的晶片表面最大划痕深度约为2.743 nm,表面粗糙度为0.924 nm.在GaN CMP单因素实验中,分析了工艺参数(如pH值、压力、转速)对GaN单晶片Ga面抛光速率的影响.实验结果表明,Ga面在酸性条件下的抛光速率较高,Ga面抛光速率随着压力和转速的增大而增加.确定了GaN单晶片表面加工的最佳工艺参数,当抛光液pH值为3,抛光压力为6×104 Pa,抛光盘转速为100 r/min时,Ga面抛光速率达到240 nm/h,表面粗糙度可达到0.071 9 nm.

关键词：氮化镓(GaN)、机械研磨、化学机械抛光(CMP)、表面粗糙度、抛光速率

所属期刊栏目：43

分类号：TN305.2;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;天津市科技计划;天津市科技计划

在线出版日期：2018-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：918-922,948