Ka波段GaAs MMIC限幅低噪声放大器的设计

摘要：

采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LNA.为了在Ka波段实现大功率和低噪声的目标,采用限幅器和LNA一体化设计的思路,优化了限幅器的电路拓扑和pin二极管的结构.该LNA采用三级级联的电流复用拓扑结构.在片测试结果表明,限幅LNA在32～ 38 GHz频率范围内,噪声系数小于3.1 dB,线性增益大于18 dB,芯片静态工作电流为20 mA;在70℃恒温条件下,能够承受脉冲功率为2W(脉冲宽度4 ms,占空比30％);芯片尺寸为3.3 mm×2.0 mm×0.07 mm.

关键词：砷化镓、微波单片集成电路(MMIC)、限幅低噪声放大器(LNA)、Ka波段、pin二极管

所属期刊栏目：43

分类号：TN43;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-12-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：893-897