阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响

摘要：

针对化学机械抛光(CMP)过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液.分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜(SEM)观察铜残留缺陷的情况.结果显示,在FA/O阻挡层抛光液中加入1.5 g/L助溶剂和体积分数0.05％H2O2对SiO2和铜的去除速率选择比最优,为1.96.同时,添加了助溶剂和H2O2的FA/O阻挡层抛光液对碟形坑修正的能力为48.2 nm,对蚀坑修正的能力为38.9 nm,修正能力非常强.铜布线片阻挡层抛光后,碟形坑深度为4.7 nm,蚀坑深度为19.9 nm,将碟形坑和蚀坑的深度降到较小的范围.SEM检测结果表明,铜残留较少,表面形貌较好.

关键词：化学机械抛光(CMP)、铜残留、缺陷、碟形坑、蚀坑

所属期刊栏目：43

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金2017D01A53

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：852-857