GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制

摘要：

GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ、氧化剂H2O2和抑菌剂BIT条件下对HCu的影响.结果表明,随着FA/OⅡ体积分数的增加,铜的去除速率(vCu)逐渐变大,当其体积分数增至3.5％后,vcu呈略微下降态;加入H2O2可使vCu先迅速地增加,在其体积分数增至1.5％后vCu开始下降.FA/OⅡ型螯合剂、H2O2在低体积分数时对铜均有强去除作用;BIT对铜的抑制作用较大,其体积分数的增加使得vCu不断减小.三者的协同作用实现了对HCu的有效控制.

关键词：铜互连、阻挡层、化学机械抛光(CMP)、铜线条剩余厚度、铜去除速率

所属期刊栏目：43

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;国家科技重大专项;河北省自然科学基金青年项目;天津市自然科学基金;河北工业大学优秀青年科技创新基金

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：847-851