寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响

摘要：

电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡.搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响.基于控制变量法的原理,在其中一条支路串入电感的同时在另一条支路串入低感电阻,由此消除了电感引入的寄生电阻对实验结果的影响.然后分别对漏极电感Ld、源极电感Ls和栅极电感Lg不匹配与并联电流分配的关系进行实验研究,实验结果表明:Ld不匹配对并联器件的瞬态电流上升过程没有影响,但会在两个器件间造成环流,且在环流衰减的过渡阶段和稳态阶段Ld对电流分配具有不同的影响规律,Ls不匹配使得电感较小的器件瞬态电流过冲增大,而Lg对器件并联电流没有影响.

关键词：SiC MOSFET、并联、寄生电感、控制变量法、电流不平衡

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.24;TN386(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项2018QN015

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：833-840