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10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.10.010

Nd∶BiFeO3/Nb∶SrTiO3异质结的电阻变换效应

引用
研究了Nd∶BiFeO3(NBFO)/Nb∶SrTiO3(NSTO)异质结构的电阻变换效应并讨论其铁电阻变换机理.利用脉冲激光沉积(PLD)法在NSTO单晶衬底上生长了NBFO薄膜,并构筑了Pt/NBFO/NSTO异质结构.该异质结器件在电压脉冲扫描下显示出双极性的电阻变换效应,并且具有长时间的数据保持能力.且改变脉冲电压的大小可获得多级电阻态,在多级非易失性存储器方面有着较高的潜在应用价值.对其电输运特性的分析表明,该异质结电阻变换可能来源于NBFO的铁电场效应作用,从而改变NBFO/NSTO异质结的耗尽层宽度和势垒高度以实现电阻变换.

异质结、电阻变换、铁电场效应、极化翻转、势垒调控

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TN304.7(半导体技术)

装备预先研究项目41423070115

2018-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

777-781,794

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2018,43(10)

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