三维硅基电容器W薄膜电极特性及影响

摘要：

设计了一种三维(3D)硅基电容器,采用原子层沉积(ALD)技术制备了钨(W)薄膜电极.通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电学分析仪对薄膜进行表征,研究了W薄膜电学性能的影响因素和作用机制.XPS测试结果表明,W薄膜组分主要为W—W键金属态,测得其电阻率为77μΩ·cm,达到现有技术水平.由晶相分析可知,原子层沉积W薄膜是多晶相,且两端电极薄膜中均存在α-W和β-W两种晶相,其中,β-W相是导致电阻率升高的主要因素.最后,对电容器进行了C-V和I-V测试,结果表明,对于3D电容器,所制备的W薄膜电极具有良好的电学性能.

关键词：硅基、三维(3D)电容器、原子层沉积(ALD)、钨薄膜、金属态

所属期刊栏目：43

分类号：TN305;O484.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61471326

在线出版日期：2018-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：771-776