FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用

摘要：

研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂.使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层(Ta)和介质层(TEOS-SiO2)的去除速率选择性实验,实验表明,FA/O阻挡层抛光液对Cu的去除速率较低,对Ta和SiO2的去除速率较高,分别为4.7,23.5和45 nm/min.该FA/O阻挡层抛光液可有效抑制铜的去除速率,提高介质层的去除速率,可有效修正精抛过程中产生的正碟形坑和蚀坑.300 mm铜布线片抛光实验结果表明,其碟形坑深度不大于40 nm,蚀坑深度不大于30 nm.抛光后测试了介质层的电学特性,结果显示,电阻值为1.49 kΩ,漏电流为pA级,满足300 mm铜布线工业化生产的要求.

关键词：化学机械抛光(CMP)、FA/O阻挡层抛光液、介质层电学性能、碟形坑、蚀坑

所属期刊栏目：43

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;自治区高校科研计划青年教师科研启动金项目

在线出版日期：2018-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：766-770,776