高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制

摘要：

研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2.0×1018 cm-3,n型沟道厚度为80 nm.采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1.0 Ω·mm.采用原子层沉积(ALD)厚度为25 nm的HfO2作为器件的栅下绝缘介质层.测试结果表明,在栅偏压为0V时,器件的开态导通电阻仅为65 Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 mA/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V.

关键词：氧化镓(Ga2O3)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、漏源饱和电流密度、离子注入、击穿电压

所属期刊栏目：43

分类号：TN386;TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2018-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：740-744,786