硅纳米线界面态的化学钝化方法概述

摘要：

分析了界面态对硅无结纳米线晶体管(JNT)亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响.化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸(HF)腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀钝化.HF钝化方法以氢饱和硅表面悬挂键来减少其表面界面态,TMAH钝化方法则通过各向异性腐蚀形成Si-O键.化学处理后得到了光滑的硅纳米线晶面表面结构,从而有效地抑制界面态对电导率的影响,使器件达到理想的亚阈值摆幅.研究结果表明,利用化学腐蚀钝化方法优化界面态,能够有效改善硅纳米线晶体管的性能.

关键词：硅无结纳米线晶体管(JNT)、电导率、亚阈值摆幅、界面态、化学处理

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.12;TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFA0200503

在线出版日期：2018-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：675-683