硅溶胶抛光液稳定性及对SiC化学机械抛光的影响

摘要：

通过在碱性硅溶胶中添加不同的芬顿试剂配制成不同的硅溶胶抛光液,检测其Zeta电位绝对值的大小,研究不同芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响,进而探究其稳定性对SiC化学机械抛光的影响.实验结果表明,原硅溶胶和加入H2O2的硅溶胶抛光液Zeta电位绝对值分别为45和55.5 mV,稳定性好,抛光后的SiC表面形貌也最好,表面粗糙度分别达到0.500 6和0.464 2 nm;而基于芬顿反应的硅溶胶抛光液Zeta电位绝对值为9.88 mV,稳定性极差,抛光后的SiC表面出现大量划痕并伴有晶体剥落,表面粗糙度达到3.666 4 nm.

关键词：SiC、化学机械抛光(CMP)、硅溶胶、Zeta电位绝对值、表面粗糙度、稳定性

所属期刊栏目：43

分类号：TN305.2;TN304.24(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金;广东省科技计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2018-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：664-668