高可靠性1060 nm单横模半导体激光器

摘要：

研制了一款基于InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的1 060 nm单横模半导体激光器,并采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法实现了外延生长.使用张应变的GaAsP势垒层对量子阱的应变进行补偿,并优化了MOCVD外延生长条件.所制备的单横模激光器的脊宽为4μm,腔长为2 mm,25℃时测得其阈值电流为23 mA,最大斜率效率为1 W/A,直流电流为500 mA时光功率为437 mW.脉冲驱动时,器件最高输出功率达到1.2W,并未发生腔面光学灾变损伤失效.器件快慢轴发散角分别为46.3°和7.4°,65℃时,器件的输出功率为270 mW.采用高温加速老化试验对器件的可靠性进行了评估,试验器件在3 150 h内未发生失效,功率缓慢退化速率为5×10-6 h-1.

关键词：半导体激光器、应变补偿、单横模、可靠性、高功率

所属期刊栏目：43

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：659-663