一款全CMOS结构低功耗亚阈带隙基准源

摘要：

基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款全CMOS结构的带隙基准源电路.电路正常工作时,所有MOS管均处于亚阈工作状态,从而保证了整个带隙基准电路芯片具有极低的功耗.在电压输出方面,通过分压降低负温度系数(CTAT)电压同时降低相应的正温度系数(PTAT)电压,使输出电压小于1V.在温度系数方面,通过对CTAT电压进行分压降低负温度系数,配合级联PTAT电路,使温度系数能够精确可调.再经由PTAT电压调整管,极大改善了输出温度特性,得到较低的温度系数.后仿真结果表明该基准输出电压为495 mV,整体工作电流仅为8 nA,温度系数为4.86×10-6,工作温度为-50～150℃.该设计应用于低压差线性稳压器芯片中,芯片测试结果表明其性能良好.

关键词：全CMOS结构、带隙基准源、亚阈工作状态、低功耗、低温度系数

所属期刊栏目：43

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省教育厅项目;江苏省"青蓝工程"项目

在线出版日期：2018-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：645-651