期刊专题

10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.011

1T1R结构RRAM的故障可测性设计

引用
阻变随机存储器(RRAM)中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率.采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本.基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片.详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式.在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试(BIST)电路.仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势.

1T1R结构、阻变随机存储器(RRAM)、内建自测试(BIST)、故障类型、测试算法、故障定位

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TN407(微电子学、集成电路(IC))

国家自然科学基金;国家自然科学基金

2018-09-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

388-393,400

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2018,43(5)

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