国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

摘要：

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律.实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad (Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和.相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间.两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著.并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨.

关键词：国产pnp型双极晶体管、宽总剂量范围、低剂量率损伤增强效应(ELDRS)、辐射损伤、剂量率

所属期刊栏目：43

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;西部之光"人才培养计划

在线出版日期：2018-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：369-374