基于硅基IPD技术的新型S波段带通滤波器设计

摘要：

将无源器件内埋或集成在封装基板中,是射频系统级封装(SIP)的小型化面临的首要问题之一.基于硅基集成无源器件(IPD)技术,借鉴经典的级联四角元件(CQ)滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构.利用集总LC谐振器和分布式互感耦合原理,在交叉耦合节点处以加载电容的方式引入频变耦合节点,实现了一款新颖的S波段四阶带通滤波器,尺寸仅为1.5 mm×l mm,其通带内最小插损约为-3.5 dB@ 2.8 GHz,-1 dB带宽为2.63～2.96 GHz,在带外形成两个传输零点位置:-41.5 dB@2.29 dB@3.34 GHz.该滤波器结构形式新颖,可以整体集成到硅基板中,为射频系统级封装一体化集成提供支持.

关键词：带通滤波器、集成无源器件(IPD)、系统级封装(SIP)、频变耦合、互感电感结构

所属期刊栏目：43

分类号：TN713.5;TN304.12(基本电子电路)

在线出版日期：2018-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：347-352