AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作

摘要：

基于GaN横向肖特基势垒二极管(SBD)的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD.利用Silvaco Atlas软件研究了 AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结AlχGaN1-χ/GaN SBD电学性能的影响.仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当AlχGaN,1-χ层中Al摩尔组分为0.2～0.25,其厚度为20～30nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好.在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2 μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD.通过直流I-V[测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面 SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造.

关键词：横向肖特基势垒二极管(SBD)、AlGaN/GaN、AlGaN层厚度、空气桥、太赫兹

所属期刊栏目：43

分类号：TN311.7;TN304.23(半导体技术)

资助基金：科学挑战专题资助项目;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2018-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：341-346