基于低频噪声检测的电力MOSFET可靠性分析

摘要：

针对变电所中通信电源的核心器件电力金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET,P-MOSFET)在大功率、强电流下易损坏、故障率高,直接影响电力通信业务的安全稳定运行的问题,提出了一种基于低频噪声检测的可靠性分析方法.利用互功率谱测量方法检测P-MOSFET内部的本征低频噪声,根据频段阈值法的拐点噪声谱,确定P-MOSFET筛选的上下限阈值大小,建立了P-MOSFET的1/f噪声功率谱密度及其阈值的对应关系式.实验结果表明,与传统的有损检测法相比,该方法能够有效评估P-MOSFET的三种可靠性等级,提高了可靠性筛选的准确率,为其他晶体管的可靠性评估提供了参考.

关键词：电力金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)、可靠性分析、阈值筛选、低频噪声检测、功率谱密度

所属期刊栏目：43

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61271115

在线出版日期：2018-01-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：75-80