期刊专题

10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.011

基于表面能理论的倒装芯片封装下填充流动研究

引用
为了预测倒装芯片封装中的下填充过程,通常要首先通过繁复的方法来求解平均毛细压.为了避免此问题,从能量的角度分析了倒装芯片封装工艺中的下填充流动过程.认为下填充是较低表面能的界面代替较高表面能的界面的过程,所释放的表面能用于形成流体流动的动能和克服阻力的能量损耗,期间能量守恒.在此分析的基础上建立了下填充流动的新模型.建立了可视化的下填充流动实验装置,并用下填充实验验证了所建立新模型的准确性.该模型避免了计算平均毛细压的复杂过程,并可方便地扩展到焊球排布形式不同的倒装芯片.

倒装芯片、下填充、表面能、能量守恒、封装

43

TN405.97(微电子学、集成电路(IC))

上海市自然科学基金15ZR1409300

2018-01-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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