氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容.I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高.经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7× 1012和4×1011eV-1·cm-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理.

关键词：4H-SiC、MOS电容、C-V测试、界面态密度、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

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分类号：TN304.24(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省科技计划;北京市自然科学基金;北京市教委能力提升项目;中国科学院科研装备研制项目

在线出版日期：2018-01-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-52