溅射AlN技术对GaN基LED性能的影响

摘要：

研究了在图形蓝宝石衬底(PSS)上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在相关AlN薄膜上生了长GaN基LED.通过一系列对比实验,分析了AlN薄膜的制备条件对GaN外延层晶体质量的影响,研究了AlN薄膜溅射前N2预处理功率和溅射后热处理温度对GaN基LED性能的作用机制.实验结果表明:AlN薄膜厚度的增加,导致GaN缓冲层成核密度逐渐升高和GaN外延膜螺位错密度降低刃位错密度升高;N2处理功率的提升会加剧衬底表面晶格损伤,在GaN外延膜引入更多的螺位错;AlN热处理温度的升高粗化了表面并提高了GaN成核密度,使得GaN外延膜螺位错密度降低刃位错密度升高;而这些GaN外延膜位错密度的变化又进一步影响到LED的光电特性.

关键词：GaN基发光二极管(LED)、图形化蓝宝石衬底(pss)、磁控溅射、AlN薄膜、位错

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.055;TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：706-710