Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触

摘要：

以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4 Ω·cm2.通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧光和光致发光谱对GaN N面的表面、光学特性进行了对比表征.结果表明:未刻蚀GaN衬底的N面表面存在一定的损伤层,导致近表面处含有大量缺陷,不利于欧姆接触的形成;而ICP刻蚀处理有效地去除了损伤层.X射线光电子能谱(XPS)分析显示刻蚀后样品的Ga 3d结合能比未刻蚀样品向高能方向移动了约0.3 eV,其肖特基势垒则相应降低,有利于欧姆接触的形成.同时对Fe掺杂半绝缘GaN的N面也进行了刻蚀处理,同样实现了良好的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触,其比接触电阻率为0.12 Ω·cm2.

关键词：Ti/Al/Ni/Au、N面、欧姆接触、电感耦合等离子体(ICP)、铁掺杂

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.23;TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：701-705