大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备

摘要：

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(AlN)外延层.并在此高质量AlN薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的AlN纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm.研究结果表明,高晶体质量的AlN材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直AlN纳米柱阵列的关键.AlN纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础.

关键词：氮化铝、纳米柱、纳米压印光刻、湿法腐蚀、自上而下法

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分类号：TN304.054;TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家高技术研究发展计划（863计划）;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;北京市科委重大项目

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：696-700,716