压力对换流阀用压接型IGBT器件功率损耗的影响

摘要：

功率损耗一直是功率半导体器件应用时备受关注的问题.压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件靠外部压力使内部各个组件保持电气和机械连接,因此压力直接或间接地影响着压接型IGBT器件的功率损耗.将压接型IGBT器件工作时产生的结温作为耦合变量引入,基于此建立了IGBT器件应用于调制脉宽(PWM)换流设备时的功率损耗计算模型,并详细分析了影响功率损耗的各种因素,包括机械压力、开关频率等.以换流阀用3 300 V/1 500 A压接型IGBT器件为例,采用有限元法研究了压力对压接型IGBT器件功率损耗的影响,重点探讨了器件内部各芯片功率损耗的变化情况.结果表明,增加压力一定程度上可以降低压接型IGBT器件的功率损耗,改善器件内部芯片结温分布不均的问题.

关键词：换流阀、压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、功率损耗、压力、有限元仿真法

所属期刊栏目：42

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家电网有限公司总部科技项目;国家电网有限公司总部科技项目

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：687-695