一种新型SiC SBD的高温反向恢复特性

摘要：

与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围.设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A SiC SBD器件,研究了该SiC SBD在100~300℃时的反向恢复特性.实验结果表明,温度每上升100℃,SiC SBD反向电压峰值增幅为5%左右,而反向恢复电流与反向恢复时间受温度影响不大;温度每升高50℃,反向恢复损耗功率峰值降低5%.实验结果表明该SiCSBD在高温下能够稳定工作,且具有良好的反向恢复特性,适用于卫星、航空和航天探测、石油以及地热钻井探测等需要大功率、耐高温和高速器件的领域.

关键词：SiC、肖特基势垒二极管、场限环、高温、反向恢复特性

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.24(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：681-686