使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED

摘要：

高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜.采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响.通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高.使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 mA时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 mW,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW.

关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、氮化铝(AlN)、深紫外发光二极管(UV-LED)、成核层、磁控溅射

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.92;TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：675-680