逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现

摘要：

逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点.设计并实现了一款1200V逆导型沟槽FS IGBT.重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真.研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善.依据器件的最优化设计进行了流片.测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化.

关键词：逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)、载流子寿命、反向恢复时间、回扫现象、开关特性

所属期刊栏目：42

分类号：TN322.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家科技重大专项;国家科技重大专项;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：669-674,695