还原时间对AlOx/WOx RRAM开关速度的调制作用

摘要：

基于128 kbit AlOx/WOx双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度的测试.还原处理的时间越长,AlOx层的厚度越薄,同时氧空位的含量增多,可加快导电细丝的形成、断裂和重新连接,进而提升芯片的开关速度.测试结果表明,还原时间由10 min增加至30 min,在4V和4.5V操作电压下,FORMING速度分布的均值分别由200 ns减小至120 ns和由100 ns减小至60 ns;在4V和4.5V操作电压下,RESET速度分布的均值分别由160 ns减小至120 ns和由120 ns减小至100 ns;SET速度分布的均值在4V电压下可由120 ns减小至80 ns.此外,还原时间的增长可以改善速度分布的一致性,减小速度的波动.

关键词：阻变存储器、开关速度、还原时间、速度波动、速度测试算法

所属期刊栏目：42

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2014AA032902

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：650-655,668