光源掩模协同优化的原理与应用

摘要：

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限.光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期.综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术.

关键词：远紫外光刻(EUVL)、分辨率增强技术、光源掩模协同优化(SMO)、像素化光源、193 nm浸没式光刻

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;国家自然科学基金

在线出版日期：2017-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：641-649