Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质

摘要：

采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析.结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg2Si (220)面具有择优生长性.随着质量分数的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,且在Al质量分数为1.58％时结晶度最好.此外,样品电阻率也随着Al质量分数的增加逐渐降低,表明Al掺杂后的Mg2Si薄膜具有更好的导电性,这对采用Mg2Si薄膜研制半导体器件有着重要的意义.

关键词：磁控溅射法、Al掺杂、Mg2Si薄膜、电阻率、晶体结构

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;贵州省自然科学基金;贵州省自然科学基金;贵州省科技攻关计划;国家国际科技合作专项基金;国家国际科技合作专项基金;国家科技重大专项;贵州省青年英才培养工程资助项目;贵州省科技厅-贵州大学联合基金资助项目;贵阳市科技计划;贵州大学研究生创新基金;安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心开放基金资助项目

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：50-54