GaAs平面掺杂势垒二极管

摘要：

二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压.而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器.设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长.对PDB二极管的物理模型进行了理论分析.通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响.通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20～ 25 mV/mW.

关键词：平面掺杂势垒(PDB)二极管、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、开启电压、I-V特性、定向检波器、检波灵敏度

所属期刊栏目：42

分类号：TN315.3(半导体技术)

在线出版日期：2017-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-31