期刊专题

10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.004

集成式等效低压二极管

引用
采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管.该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联.这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性.选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10 Ω以内.利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失.

二极管、集成、低漏电、低动态电阻、等效

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TN311(半导体技术)

2017-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

23-26,31

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半导体技术

1003-353X

13-1109/TN

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2017,42(1)

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