受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

摘要：

少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域.

关键词：p型单晶硅、少子寿命、电子陷阱、复合中心、杂质和缺陷密度、俘获截面

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;辽宁省教育厅一般项目

在线出版日期：2016-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：930-936