HDP介质淀积引起的新天线效应及损伤机理

摘要：

超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究.从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与栅氧化层无关的天线效应.结果发现这种新的天线效应发生在高密度等离子体淀积介质层的工艺过程中,相邻金属互连长导线因不同的接地方式而具有不同的电势差,造成金属互连导线间的击穿和漏电.同时给出了该种天线效应的解决方案,该结果为半导体工艺设计规则制定提供了新的参考.

关键词：天线效应、高密度等离子体(HDP)、失效分析、模拟集成电路、设计规则

所属期刊栏目：40

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：921-924