30～2 600 MHz超宽带GaN功率放大器的设计与实现

摘要：

基于第三代半导体GaN的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH40010管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用GaN管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反馈回路和整体负载牵引方法及宽带匹配网络,成功设计并实现了30～2 600 MHz超过6个倍频程的超宽带功率放大器.测试结果表明,该功率放大器的带内线性增益大于11.8 dB,线性增益平坦度小于±0.95 dB,输入回波小于-10.2 dB,1 dB压缩点输出功率大于36.5 dBm,功率附加效率大于22％,饱和时输出功率大于39.1 dBm,功率附加效率大于28％.该功率放大器在很宽的频带内有着平坦的增益,适用于对平坦度要求较高的超宽带系统中.

关键词：氮化镓、超宽带、功率放大器、负反馈、6倍频程

所属期刊栏目：40

分类号：TN722.75(基本电子电路)

在线出版日期：2016-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：916-920,929