一种改进的增强型GaN HEMT大信号模型

摘要：

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型.模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则.提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性.根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑.模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具.验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合.

关键词：增强型GaN HEMT、大信号模型、沟道电流模型、栅电荷模型、Verilog-A语言

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2016-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：904-910