砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制

摘要：

基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成.芯片可输入六位串行或并行数据,输出六对互补电平以控制开关、衰减器等砷化镓微波单片集成电路(MMIC).测试结果表明,在5V工作电压下芯片的静态电流为7.6mA,并行输出高电平4.8V,低电平0.1V,传输延迟时间125 ns.驱动器芯片尺寸为2.5 mm×1.45 mm.该电路具有响应速度快、易与砷化镓MMIC集成等特点,可广泛应用于各类多功能电路、组件及模块中.

关键词：砷化镓、赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、开关驱动器、微波单片集成电路、增强型

所属期刊栏目：40

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：894-898