Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层

摘要：

基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角.

关键词：磁性材料、等离子体刻蚀、Ar/CO/NH3、磁随机存储器(MRAM)、多步刻蚀

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2015-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：675-678,717