硅基自旋注入研究进展

摘要：

自旋注入、自旋探测和自旋操控是构建半导体自旋电子器件的基础.在硅基材料上采用电的方式进行自旋注入,有利于自旋器件与微电子芯片的集成化,是当前该领域的研究热点课题之一.简要概述了硅基自旋注入的研究进展,首先介绍了半导体自旋注入的原理和方法,着重评述了以磁隧道结(MTJ)结构为核心的硅基自旋注入的研究进程,然后详细论述了硅基自旋注入的测试原理、器件结构扣实验方法,最后给出了硅基自旋注入的主要研究目标和发展方向,并展望了硅基自旋电子器件的前景.

关键词：自旋电子器件、硅基自旋注入、自旋探测、Hanle曲线、磁隧道结

所属期刊栏目：40

分类号：TN301;TN389(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;陇原青年创新人才扶持计划

在线出版日期：2015-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：641-646,683