图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长

摘要：

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究.实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关.与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.AFM测试结果表明,提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级.微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式.该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础.

关键词：图形化衬底、GaAs/InP异质外延、表面形貌、粗糙度、应力

所属期刊栏目：40

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点实验室开放基金

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：448-454