FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响

摘要：

研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响.在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2％,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35％,活性剂体积分数为2％,H2O2体积分数为2％的FA/O精抛液.并在MIT854布线片上进行了精抛测试.结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm.并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦.精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标.

关键词：化学机械平坦化、精抛、FA/O精抛液、Cu/Ta、去除速率

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家中长期科技发展规划;河北省自然科学基金;博士科研启动基金;教育部重点实验室开放基金

在线出版日期：2015-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：436-440,472